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安森美半导体发布用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案

 
 
 
发布日期:2021-06-10    来源:企业    扫描到手机

6月8日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一对1200V完整的碳化硅(SiC)MOSFET2-PACK模块,进一步增强其用于充满挑战的电动车(EV)市场的产品系列。 

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随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。 

新的1200VM1完整SiCMOSFET2pack模块,基于平面技术,适合18V到20V范围内的驱动电压,易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比,降低了热阻,从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。 

NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构,是采用F1封装的10mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6mohm器件。这些封装采用压接式引脚,是工业应用的理想选择,且嵌入的一个负温系数(NTC)热敏电阻有助于温度监测。 

新的SiCMOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分,被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。 

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3V、5V和15V)。该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流4.0A/灌电流6.0A)适合高速工作,因为典型传播延迟为60ns。 

安森美半导体的SiCMOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成,比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性,令能效和功率密度更高,电磁干扰(EMI)得以改善,并减小系统尺寸和重量。 

最近发布的650VSiCMOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,使(RDS(on)*area)的品质因数(FoM)达到同类最佳。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等是市场上采用D2PAK7L/TO247封装的具有最低RDS(on)的MOSFET。 

1200V和900VN沟道SiCMOSFET芯片尺寸小,减少了器件电容和门极电荷(Qg-低至220nC),从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。 

在APEC2021期间,安森美半导体将展示用于工业应用的SiC方案,并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。

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