日前,电车之家获悉吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。
吉利科技集团表示,此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑,为后续更多功率芯片的研制打下基础。
据了解,该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和FS结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通与开关损耗,功率密度增大约35%。

日前,电车之家获悉吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。
吉利科技集团表示,此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑,为后续更多功率芯片的研制打下基础。
据了解,该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和FS结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通与开关损耗,功率密度增大约35%。

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