分立式EDT2 IGBT在100°C时的额定电流分别为120 A和200 A，且正向电压都非常低，因此与上一代产品相比，传导损耗降低了13%。该AIKQ200N75CP2的额定电流为200 A，且是采用TO247Plus封装的最佳分立IGBT。因此，定义的目标功率等级需要更少的并联设备。此外，功率密度增加，系统成本也随之降低。
此外，EDT2 IGBT系列的参数分布极窄。典型值和最大值之间的集电极-发射极饱和电压（V ce（sat））差值小于200 mV，栅极阈值电压（V GEth）差值小于750 mV。此外，热系数为正。总之，上述参数可实现轻松的并行操作，并为最终设计提供系统灵活性和功率可扩展性。此外，新IGBT系列可提供平滑的开关性能、低栅极电荷（Q G）和175°C的高结温（T vjop）。
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